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  1. Repositorio Institucional ARAMARA
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorMONTOYA SUAREZ, E.
dc.contributor.authorSANDOVAL IBARRA, E.
dc.contributor.authorORTEGA CISNEROS, S.
dc.date.accessioned2017-04-04T17:19:41Z
dc.date.available2017-04-04T17:19:41Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.issn0035-00IXes_ES
dc.identifier.urihttp://dspace.uan.mx:8080/jspui/handle/123456789/589
dc.descriptionThe oscillation frequency f0 of a VCO current-starved has been used for sensing temperature ranging from 20 to 99◦C. Since f0 is directly proportional to the short-circuit current of the basic cell delay (NOT gate), and taking into account that this current, ISHORT, is directly proportional to the carrier mobility, it is possible to explain how f0 changes as temperature, T, changes too. This oscillator that was manufactured in a CMOS standard process, N-well, 0.5 µm, 5 V, facilitates the integration of circuitry conditioning, which means the feasibility of integrating the whole sensor system in a chip. Digital circuit measures the frequency f0 each 53 ms because the measure step is deduced from the linear fitting applied to the f0 vs. T characteristic.es_ES
dc.description.abstractLa frecuencia de oscilación f0 de una corriente de vacío VCO se ha utilizado para detectar temperaturas que varían de 20 a 99◦C. Dado que f0 es directamente proporcional a la corriente de cortocircuito del retardo de la célula básica (puerta NOT), y teniendo en cuenta que esta corriente, ISHORT, es directamente proporcional a la movilidad de la portadora, es posible explicar cómo f0 cambia como temperatura, T, cambia también. Este oscilador que se fabricó en un proceso estándar CMOS, N-pozo, 0,5 μm, 5 V, facilita la integración del acondicionamiento de circuitos, lo que significa la factibilidad de integrar todo el sistema de sensores en un chip. El circuito digital mide la frecuencia f0 cada 53 ms debido a que el paso de medición se deduce del ajuste lineal aplicado a la característica f0 frente a T.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherRevista Mexicana de Fisicaes_ES
dc.relation.uriPúblico en generales_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0es_ES
dc.sourcehttp://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57021213011es_ES
dc.subjectOsciladoreses_ES
dc.subjectteoría de circuitoses_ES
dc.subjectmediciones eléctricases_ES
dc.subjectdispositivos de efecto de campoes_ES
dc.subjectOscillatorses_ES
dc.subjectcircuits theoryes_ES
dc.subjectelectrical measurementses_ES
dc.subjectfield effect deviceses_ES
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA [7]es_ES
dc.titleMEDICION DE TEMPERATURA USANDO UN VCO INTEGRADO EN SILICIOes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
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