EFFECTS OF NA INCORPORATION AND PLASMA TREATMENT ON BI2S3 ULTRA-THIN LAYERS

Abstract

Las películas delgadas de sulfuro de bismuto depositadas por medio de una deposición química del baño se trataron con plasma de argón AC. En este artículo presentamos los resultados sobre las modificaciones físicas que se observaron cuando se aplicó un pretratamiento, que contenía una solución de hidróxido de sodio 1 M, a los sustratos de vidrio antes de depositar el sulfuro de bismuto. Las películas delgadas de sulfuro de bismuto se caracterizaron por difracción de rayos X, espectroscopia de rayos X de dispersión de energía, microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, UV-VIS y medidas eléctricas. El análisis XRD demostró una mejora en las propiedades cristalinas, así como un incremento en el tamaño del cristal. El valor de la brecha de banda de energía se calculó como 1,60 eV. También se observaron cambios en los valores de fotoconductividad (σp) debido al pretratamiento en NaOH. Se encontró un valor de σp = 6,2x10-6 (Ω-cm) -1 para muestras cultivadas en sustratos sin pretratamiento y un valor de σp = 0,28 (Ω-cm) -1 para muestras cultivadas sobre sustratos con pre- tratamiento. Tales valores de σp son óptimos para la mejora de células solares basadas en películas delgadas Bi2S3 como material absorbente.